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英特爾美光共同開發顛覆性存儲器技術

英特爾與美光科技近日發表3D XPoint技術,這種非揮發性存儲器擁有十足潛力,能徹底改造任何裝置、應用與服務,讓它們能快速存取大量的資料,為自1989年NAND快閃芯片推出以來第一個新存儲器類別。
連網裝置與數碼服務的爆炸性成長,產生極其可觀的新數據。要讓這些資料發揮功用,系統必須非常快速地儲存與分析資料,對服務供應商與系統廠商而言產生許多挑戰,在設計存儲器與儲存解決方案時必須在成本、功耗以及效能等因素之間取得最佳的平衡點。3D XPoint技術結合了現今市場上所有存儲器技術在效能、密度、功耗、非揮發性以及成本等方面的優點。3D XPoint技術的速度比NAND高1,000倍,耐用度也提升了1,000倍,密度也比傳統存儲器高出10倍。

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